耐磨焊丝合金的合成主要存在以下几个问题：耐磨焊丝合金成核和生长机理尚不清楚。附着力差。难以达到理想的化学配比。立方相上的界面层和立方相层与衬底之间都有一薄层sp~2键合的氮化硼。影响了其在超硬涂层材料和电子学领域的应用。目前用各种方法生长的立方氮化硼薄膜中，立方相的晶粒尺寸很小，一般只有几十纳米，使其应用受到很大限制。 使用射频磁控溅射(RFMS)方法，在钼衬底和镍锰钴衬底上通过改变吉林大学硕士学位论文了沉积参数沉积了一系列氮化硼薄膜。
采用射频溅射沉积(RF Sputtering)，离子束辅助沉积(IBAD)，离子镀(Ion Plating)，激光蒸镀(PLD)，等离子体辅助化学气相沉积(PACVD)等各种物理和化学气相沉积方法，在真空条件下获得了c-BN或含c-BN相的膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)表明，所获得的薄膜结构一致，均为六角氮化硼薄膜。溅射功率、衬底偏压、沉积气压，各种气体的含量、衬底温度和沉积时间等实验参数均对薄膜的生长有一定影响。耐磨焊丝合金系统的实验结果表明，沉积氮化硼薄膜较好的条件为。
衬底偏压，50V，溅射功率150W，沉积时间1加min，沉积气压4Pa，氮气含量50%，衬底温度500℃。从射频磁控溅射实验的结果来看，沉积在耐磨焊丝合金衬底上的氮化硼薄膜。采用磁控弧光增强等离子体化学气相沉积(MA一PECVD)方法制备氮化硼薄膜，沉积气压为50~100Pa，N/B流量比为25:l和50:l，衬底射频偏压由OV变化至一150V，衬底温度为900℃，沉积时间为10~30min。经傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析，在10A放电电流条件下，得到的薄膜结构均为六角氮化硼(h一BN)。 
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